压电MEMs扬声器器件尺寸是6.7mm×6.7 mm×1 mm。用的是三英寸PZT wafer(一种是陶瓷PZT5H,大概4 um厚,一种是溅射PZT,大概不到2 um),测试压电MEMs扬声器的压电
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发布时间:2025-04-24 20:20:04 更新时间:2025-06-09 19:04:25
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作者:中科光析科学技术研究所检测中心
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压电MEMS扬声器作为新一代微型声学器件,其核心性能直接取决于压电材料的本征参数。对于尺寸为6.7mm×6.7mm×1mm的微型器件,精确测量d31、e31等压电矩阵参数对于器件优化设计、性能仿真和可靠性评估具有决定性意义。特别是采用两种不同工艺(陶瓷PZT5H厚膜与溅射PZT薄膜)制备的器件,其厚度差异(4μm与2μm)会导致显著的尺寸效应,这使得材料参数库的建立更为复杂且必要。通过系统测量压电矩阵、弹性矩阵、介电常数及力学参数,不仅可以验证工艺一致性,更能为COMSOL等仿真软件提供准确的输入参数,实现从器件设计到性能预测的闭环验证。
本次检测涵盖以下核心参数矩阵:
1. 压电性能矩阵:d31(横向压电系数)、e31(横向压电应力常数)
2. 弹性性能矩阵:s11^E(恒定电场下的弹性柔顺系数)、c11^D(恒定电位移下的弹性刚度系数)
3. 介电性能矩阵:ε33^T(自由介电常数)、ε33^S(夹持介电常数)
4. 机械性能参数:泊松比ν、杨氏模量E
特别针对两种PZT材料:陶瓷PZT5H(~4μm)和溅射PZT(<2μm)薄膜,需分别建立独立参数库。
检测系统需配置以下专业设备:
1. 激光多普勒测振仪(LDV):如Polytec MSA-500,分辨率0.1pm,用于振动位移测量
2. 阻抗分析仪:Keysight 4294A,频率范围40Hz-110MHz,测量介电频谱
3. 精密力学测试台:配备10mN力传感器(如Futek LSB200)和纳米位移台
4. 高压放大器:Trek 610E,输出电压范围0-±1kV,用于极化电场施加
5. 温控腔体:维持25±0.5℃的标准测试环境
6. 光学显微镜系统:用于样品定位和振动模式观察
采用IEEE 176-1987标准改进方法,具体流程如下:
在1kV/mm直流电场下极化30分钟,随后24小时老化稳定
a) 施加0.1-10Vpp正弦激励电压,频率1kHz
b) 通过LDV测量自由端位移δ
c) 按d31=δ/(V·L/t)计算,其中L为悬臂长度,t为厚度
通过关系式e31=d31/(s11^E·ε33^T)推导,需先测得弹性与介电参数
a) 采用阻抗分析仪扫描10-500kHz频段
b) 识别厚度伸缩模式共振频率f_r和反谐振频率f_a
c) 通过Christoffel方程求解c11^D和c11^E
在1kHz下测量平行板电容C,按ε33^T=C·t/(ε0·A)计算,A为电极面积
使用Berkovich压头,加载速率0.05mN/s,最大载荷2mN,通过Oliver-Pharr法提取E和ν
检测严格执行以下标准:
1. IEEE Std 176-1987:压电性测量标准
2. IEC 60444-5:共振法测量压电材料参数
3. ISO 14577-1:仪器化压痕测试金属与陶瓷材料
4. JIS C 2141:压电陶瓷材料测试方法
5. SEMI MS5-1107:MEMS器件机械性能测试指南
参数有效性需满足以下准则:
1. 数据一致性:三次重复测量偏差≤5%
2. 频率相关性:1-100kHz范围内参数波动<3%
3. 工艺对比:溅射PZT的d31应达到陶瓷PZT5H的80%以上
4. 物理合理性:泊松比0.28-0.32,杨氏模量60-120GPa
5. 矩阵对称性:弹性矩阵|c11-c12-2c66|≤5%c11
6. 损耗验证:介电损耗tanδ<0.03(@1kHz)
最终参数库将按COMSOL材料属性格式整理,包含温度系数和频率依赖特性注释,为多物理场耦合仿真提供完整输入。特别针对厚度效应,需标注参数适用的厚度范围(1-5μm和5-10μm两个区间)。
证书编号:241520345370
证书编号:CNAS L22006
证书编号:ISO9001-2024001
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