氟化钡(BaF₂)晶体纯度检测
1对1客服专属服务,免费制定检测方案,15分钟极速响应
发布时间:2025-07-23 14:41:45 更新时间:2025-07-22 14:41:52
点击:0
作者:中科光析科学技术研究所检测中心
1对1客服专属服务,免费制定检测方案,15分钟极速响应
发布时间:2025-07-23 14:41:45 更新时间:2025-07-22 14:41:52
点击:0
作者:中科光析科学技术研究所检测中心
检测项目 | 方法标准 | 指标要求 | 仪器精度要求 |
---|---|---|---|
BaF₂纯度 | 差示扫描量热法(DSC) | ≥99.995% | ±0.005%(标样校准) |
阳离子杂质 | ICP-MS | Σ(K⁺,Na⁺,Ca²⁺)≤5ppm | 检出限≤0.01ppm |
阴离子杂质 | 离子色谱法(IC) | SO₄²⁻≤3ppm, Cl⁻≤2ppm | 相对标准偏差≤3% |
氧含量 | 惰性熔融-红外吸收 | ≤50ppm | ±5ppm(500ppm以下) |
影响性能的杂质 | 限值(光学级) | 限值(闪烁晶体级) |
---|---|---|
稀土元素总量 | ≤0.1ppm | ≤0.01ppm |
过渡金属(Fe,Co,Ni) | Σ≤0.5ppm | Σ≤0.1ppm |
U/Th放射性 | ≤10ppt | ≤0.1ppt |
参数 | 测试方法 | 技术指标 |
---|---|---|
紫外透过率 | 分光光度计(190-800nm) | 200nm处≥80%(10mm厚度) |
红外截止边 | FTIR光谱仪 | 10.5-11.5μm(吸收系数≥4cm⁻¹) |
折射率均匀性 | 激光干涉仪(632.8nm) | Δn≤±5×10⁻⁶ |
项目 | 检测标准 | 合格标准 |
---|---|---|
位错密度 | 化学腐蚀+金相显微 | ≤10³ cm⁻² |
晶格参数偏差 | XRD精修(Cu-Kα辐射) | Δa/a≤0.0002 |
包裹体尺寸 | 激光散射缺陷仪 | Ø≤30μm,密度≤5个/cm³ |
技术方法 | 检出能力 | 执行标准 |
---|---|---|
同步辐射形貌术 | 位错阵列分辨率1μm | ISO 23036 |
激光诱导击穿光谱 | 夹杂物检出限0.3μm | ASTM E2926 |
热腐蚀形貌分析 | 晶界显现深度50nm | GB/T 16594 |
缺陷类型 | A级晶片标准(Φ100mm) | C级晶片标准 |
---|---|---|
表面划痕 | 长度≤1mm,数量≤3条 | 长度≤3mm,≤10条 |
崩边 | 深度≤0.2mm,面积≤1mm² | 深度≤0.5mm,≤5mm² |
雾斑 | 不允许 | ≤3处/片,Ø≤1mm |
参数 | 测试条件 | 指标要求 |
---|---|---|
光产额 | ¹³⁷Cs源,662keV γ射线 | ≥8000 ph/MeV |
衰减时间 | 单光子计数法 | τ快≈0.6ns, τ慢≈630ns |
能量分辨率 | NaI(Tl)探测器对比 | ≤11%@662keV |
激光参数 | 测试方法 | 阈值标准 |
---|---|---|
1064nm脉宽10ns | ISO 21254-1 | ≥5J/cm² |
355nm连续激光 | 功率密度递增法 | ≥1MW/cm² |
设备类型 | 关键性能参数 | 校准规范 |
---|---|---|
高纯锗γ谱仪 | 能量分辨率≤1.3keV@1332keV | JJG 417 |
深紫外分光光度计 | 波长精度±0.1nm(200nm处) | GB/T 2679.11 |
低温恒温器(光产额测试) | 77K控温精度±0.5K | ASTM E344 |
环节 | 控制要求 | 风险规避 |
---|---|---|
样品制备 | 超净间(Class 100)切割 | 防止表面污染 |
溶液测试 | 超纯水(电阻率≥18.2MΩ·cm) | 避免离子干扰 |
辐射测试 | 铅屏蔽室(本底≤0.1μSv/h) | 降低背景噪声 |
应用领域 | 关键控制指标 | 可接受限值 |
---|---|---|
深紫外光刻 | 190nm透过率 | ≥90%(5mm厚度) |
红外窗口 | 8-12μm吸收系数 | ≤0.01cm⁻¹ |
PET探测器 | 光产额衰减(500次辐照) | ≤3% |
警示:
- 检测O/H杂质时须在惰性气氛手套箱操作(O₂<0.1ppm)
- 闪烁晶体测试避免机械振动(影响光输出稳定性)
- 每批次保留参比样品(纯度标样)
氟化钡纯度检测需建立 "成分-结构-功能"三重关联体系,特别关注 亚表面损伤层(XRD摇摆曲线半高宽≤20arcsec)和 本征点缺陷(热释光谱检测110℃峰)。高纯级(≥99.999%)样品强制进行 低温光致发光光谱分析(8K下检测620nm氧空位峰)。原始数据保存应包含 吸收/发射谱图 和 缺陷分布拓扑图,记录文件保存30年
证书编号:241520345370
证书编号:CNAS L22006
证书编号:ISO9001-2024001
版权所有:北京中科光析科学技术研究所京ICP备15067471号-33免责声明