电磁屏蔽室、半电波暗室检测
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发布时间:2025-07-20 05:41:42 更新时间:2025-07-19 05:41:42
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作者:中科光析科学技术研究所检测中心
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电磁屏蔽室和半电波暗室是现代电子设备研发、电磁兼容性(EMC)测试、产品认证及科学研究中不可或缺的关键设施。电磁屏蔽室的主要功能是隔离外部电磁环境干扰,提供纯净的测试背景;而半电波暗室则在屏蔽室基础上内壁铺设吸波材料,模拟自由空间环境,用于辐射发射和辐射抗扰度测试。为确保这些设施的性能稳定可靠,满足严格的测试要求,定期进行专业、全面的检测至关重要。检测的核心目标在于验证屏蔽效能是否符合设计指标,确保场地性能满足国际/国家标准要求,从而保障测试结果的准确性与可信度,为产品质量和市场准入奠定坚实基础。因此,建立科学、规范的检测流程至关重要。
针对电磁屏蔽室和半电波暗室,关键的检测项目聚焦于其核心性能指标:
电磁屏蔽效能: 这是屏蔽室的核心指标。检测需覆盖从低频(如DC, 50/60Hz工频)到高频(如10GHz或更高)的宽频段范围,评估屏蔽体对电场、平面波和磁场的衰减能力,检测门、通风波导、滤波器、接口板等关键部位的屏蔽性能。
归一化场地衰减: 这是评估半电波暗室电波传播特性的核心指标。检测在特定频点(如CISPR 16-1-4规定的16或更多频点)上,实际测量的场地衰减与理想自由空间场地衰减理论值之间的偏差,需满足标准(如±4dB或±6dB)要求。
场地电压驻波比: 主要在半电波暗室中检测,评估吸波材料对入射波的反射性能以及场地反射的均匀性,直接影响辐射测试的精度。
背景噪声: 在屏蔽室和暗室内,测量关闭EUT(受试设备)情况下本底的电磁噪声水平,确保其远低于EUT的发射限值或测试要求的阈值。
场均匀性: 对于辐射抗扰度测试用暗室(如3m法,10m法),需在规定的测试区域(假想的垂直平面)上检测场强的均匀性,以满足标准(如IEC 61000-4-3)规定的公差范围。
屏蔽体完整性: 检查屏蔽壳体、接缝、焊接点、门密封接触条等是否存在物理损伤、锈蚀或老化,确保结构的完整性和密封性。
完成上述检测项目需要依赖专业、精密的仪器设备:
信号源/射频合成器: 产生所需频率和功率的测试信号。
频谱分析仪/接收机: 核心测量设备,用于测量信号强度、噪声水平、场地衰减等。需具备足够的动态范围、频率覆盖范围和测量精度,需符合CISPR 16-1-1等标准要求。
发射天线: 用于产生测试场强的天线,类型多样(如双锥天线、对数周期天线、喇叭天线、环天线等),需根据测试频率和项目选择。
接收天线/探头: 用于测量场强的天线或探头(如电场探头、磁场探头),其校准系数至关重要。
功率放大器: 在辐射抗扰度场均匀性测试或大信号屏蔽效能测试中,用于放大信号源输出,驱动发射天线产生足够强的场强。
网络分析仪: 可用于精确测量屏蔽效能(替代法)以及某些特定接口的传输损耗。
低频磁场源及接收探头: 专门用于低频磁场屏蔽效能测试。
场强计/场强探头: 用于辐射抗扰度测试中的场强监测和场均匀性测量。
衰减器、电缆、转接头等辅助设备: 构成完整测试链路。
检测方法需严格遵循相关标准:
屏蔽效能检测:
直接法(大信号法): 在屏蔽室外由信号源和发射天线产生强场,在屏蔽室内用接收天线/探头和接收机测量穿透场强。适用于较高频段。
替代法(小信号法): 利用网络分析仪测量信号通过屏蔽壁上的同轴接口(如穿心电容)的传输损耗(S21参数),推算屏蔽效能。适用于较高频段点频测量。
低频磁场法: 使用标准环状磁场源置于屏蔽壁外侧,在壁内侧用磁环探头或小环接收天线测量磁场强度衰减。用于评估低频(如DC-100kHz)屏蔽性能。
归一化场地衰减检测: 按照CISPR 16-1-4或ANSI C63.4等标准规定的方法布置发射天线和接收天线(水平和垂直极化),在特定高度和位置扫描测量。实测场地衰减需结合天线系数进行归一化计算,并与理论值比较。
场地电压驻波比检测: 固定发射天线位置(通常在转台中心),在接收天线的多个位置(通常在静区边界)测量场强值,计算最大值与最小值的比值(即SVSWR)。
场均匀性检测: 在规定的测试平面上(如1.5m x 1.5m),按标准网格点(如16点)布置场强探头。在特定频点施加场强,记录每个点的场强值,计算所有点中75%的点的场强相对于参考值(通常是中心点或平均值)的偏差是否在标准规定的公差(如0~ +6dB)内。
背景噪声检测: 在暗室/屏蔽室关闭且无EUT情况下,使用接收天线和接收机/频谱仪扫描整个测试频段,记录本底噪声频谱。
检测活动必须依据国际、国家或行业标准进行,确保结果的可比性和权威性:
电磁屏蔽效能:
归一化场地衰减:
证书编号:241520345370
证书编号:CNAS L22006
证书编号:ISO9001-2024001
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