漏-源短路时栅极截止电流检测的重要性

在功率半导体器件（如MOSFET、IGBT等）的可靠性测试中，漏-源短路（Drain-Source Short, DSS）状态下栅极截止电流（Gate Cut-off Current, IGSS）的检测是一项关键指标。当器件因制造缺陷或过应力导致漏极与源极短路时，栅极能否在关断状态下维持极低的泄漏电流直接影响电路的安全性和效率。若IGSS超出允许范围，可能导致器件热失控、功耗异常甚至系统失效。因此，针对此类场景的检测不仅是质量控制的必要环节，也是故障诊断的重要依据。

检测项目与核心参数

在进行漏-源短路时的栅极截止电流检测时，需明确以下核心检测项目：

• 栅极截止电流（IGSS）：在漏-源短路条件下，栅极施加反向电压时的泄漏电流值。
• 漏-源间电压（VDS）：短路状态下施加的电压幅值及其稳定性。
• 环境温度：测试时的温度条件，通常需覆盖器件规格书规定的温度范围。
• 时间依赖性：电流随时间的变化趋势，用于评估器件长期稳定性。

检测仪器与设备

完成该检测需配置高精度仪器系统，包括：

• 半导体参数分析仪（如Keysight B1500A）：提供精确的电压/电流源及测量功能。
• 高灵敏度电流表（分辨率≤1pA）：用于捕捉微小泄漏电流。
• 温度控制箱：模拟不同温度环境（如-55℃~150℃）。
• 短路夹具或探针台：确保漏-源极间稳定短路连接。

检测方法与步骤

标准检测流程通常包括以下步骤：

1. 器件预处理：在指定温度下进行热稳定，消除残余电荷。
2. 短路状态模拟：通过外部连接或内部触发使漏极与源极短路。
3. 栅极偏置施加：按规格书要求施加反向电压（如VGS=-20V）。
4. 电流测量：使用电流表记录稳态下的IGSS值，持续监测至少1分钟。
5. 温度循环测试：在多个温度点重复上述步骤，分析温度对电流的影响。

检测标准与规范

主要参考以下国际及行业标准：

• JESD22-A114：JEDEC发布的静电放电（ESD）敏感度测试标准，涵盖泄漏电流测量要求。
• AEC-Q101：汽车电子委员会针对分立半导体的可靠性验证标准，明确IGSS的极限值。
• IEC 60747-9：国际电工委员会关于绝缘栅双极晶体管的测试规范。
• 企业内部标准：根据器件特性制定更严苛的阈值（如IGSS≤100nA @VGS=-15V）。

通过上述系统化的检测流程，可准确评估器件在极端短路条件下的性能表现，为产品设计改进和失效分析提供科学依据。

检测机构资质证书

CMA认证

检验检测机构资质认定证书

证书编号：241520345370

有效期至：2030年4月15日

CNAS认可

实验室认可证书

证书编号：CNAS L22006

有效期至：2030年12月1日

ISO认证

质量管理体系认证证书

证书编号：ISO9001-2024001

有效期至：2027年12月31日

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