控制极不触发电压检测
1对1客服专属服务,免费制定检测方案,15分钟极速响应
发布时间:2025-04-25 14:03:16 更新时间:2025-04-24 14:03:16
点击:0
作者:中科光析科学技术研究所检测中心
1对1客服专属服务,免费制定检测方案,15分钟极速响应
发布时间:2025-04-25 14:03:16 更新时间:2025-04-24 14:03:16
点击:0
作者:中科光析科学技术研究所检测中心
控制极不触发电压检测是电力电子器件(如晶闸管、IGBT等)质量控制的关键环节,主要用于验证器件在未施加触发信号时的电压耐受能力。通过这项检测,可以确保器件在正常工作或异常情况下不会因电压波动产生误触发,从而提高电路的稳定性和安全性。该检测广泛应用于电力系统、工业驱动、新能源设备等领域,是保障半导体器件可靠性的重要依据。
控制极不触发电压检测的主要项目包括:
1. 静态不触发电压测试:在特定温度下,逐步增加控制极与主电极间的电压,观察是否出现非预期导通;
2. 动态电压耐受能力:模拟开关瞬态电压冲击下的抗干扰性能;
3. 温度特性验证:在不同环境温度(如-40℃至125℃)下测试不触发电压阈值;
4. 重复性测试:验证器件在多次电压加载后的稳定性。
检测过程中需使用以下专业设备:
1. 高精度直流/脉冲电压源(分辨率≤1mV);
2. 数字示波器(带宽≥200MHz,采样率1GS/s);
3. 隔离式电流探头(测量范围0.1mA-10A);
4. 恒温试验箱(控温精度±0.5℃);
5. 专用夹具系统(绝缘阻抗≥1GΩ)。
标准检测流程包含三个核心步骤:
1. 静态测试法:在25℃标准温度下,以0.1V/秒速率逐步升高控制极电压,记录首次出现漏电流突变的阈值;
2. 动态脉冲法:施加标准波形(如100ns上升沿、1μs脉宽)的瞬态电压,通过示波器捕获信号畸变点;
3. 温度循环法:将器件置于温箱中,按照IEC 60747标准进行-40℃→25℃→125℃三阶段测试,每个温度点稳定30分钟后执行电压扫描。
主要遵循以下行业规范:
1. IEC 60747-6:半导体分立器件测试标准;
2. GB/T 15291-2013:中国国家晶闸管测试规范;
3. JEDEC JESD22-A108:温度偏置寿命试验标准;
4. 行业特殊要求:如风电变流器需满足DNVGL-ST-0378附加条款。
测试结果需满足器件标称电压的±5%容差范围,且在三次重复测试中保持结果一致性(RSD≤2%)。
证书编号:241520345370
证书编号:CNAS L22006
证书编号:ISO9001-2024001
版权所有:北京中科光析科学技术研究所京ICP备15067471号-33免责声明