XPS表面分析检测
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发布时间:2025-03-06 14:17:10 更新时间:2025-03-05 14:19:02
点击:0
作者:中科光析科学技术研究所检测中心

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作者:中科光析科学技术研究所检测中心
X射线光电子能谱(XPS, X-ray Photoelectron Spectroscopy)是分析材料表面 化学成分、元素价态 及 化学键信息 的关键技术,广泛应用于 半导体、涂层材料、生物医学 及 催化材料 等领域。检测需符合以下标准:
检测项目 | 检测方法 | 技术要点 | 仪器设备 |
---|---|---|---|
全谱扫描(Survey Scan) | 能量范围0-1400eV,结合能分辨率≤0.5eV | 识别所有表面元素(H、He除外),灵敏度≥0.1at% | XPS谱仪(Thermo Scientific K-Alpha+) |
窄谱精细扫描(High-Resolution Scan) | 高分辨率模式(通过能≤50eV) | 确定元素化学态(如C 1s分峰拟合判断C-C/C=O) | 单色化Al Kα X射线源(1486.6eV) |
深度剖析(Depth Profiling) | Ar+溅射刻蚀(能量0.5-4keV) | 分析元素随深度的分布(如氧化层厚度≤10nm) | 离子枪(Ar+源)+ XPS联用系统 |
检测项目 | 检测方法 | 技术要点 | 仪器设备 |
---|---|---|---|
结合能标定 | 参考C 1s(284.8eV)或Au 4f(84.0eV) | 校准仪器荷电效应(误差≤±0.1eV) | 荷电中和枪(低能电子/离子束) |
分峰拟合(Peak Fitting) | 高斯-洛伦兹函数拟合(软件Avantage) | 解析重叠峰(如O 1s分为晶格氧/吸附氧) | 分析软件(Thermo Avantage) |
角分辨XPS(ARXPS) | 改变出射角(15°-90°) | 分析表面1-10nm内化学态梯度分布 | 可变角度样品台(精度±0.1°) |
问题现象 | 可能原因 | 解决方案 |
---|---|---|
C污染峰干扰 | 样品暴露空气吸附碳氢化合物 | 预处理(Ar+溅射或真空烘烤),避免手指接触样品表面 |
峰位偏移 | 荷电效应未校准或样品导电性差 | 使用荷电中和枪,镀金/碳膜(厚度≤5nm) |
信号强度低 | X射线源老化或样品位置偏移 | 更换X射线灯丝,重新对中样品(激光定位) |
分峰拟合不收敛 | 峰形参数设置不合理 | 限制半峰宽(FWHM 0.8-1.5eV),采用标准化学态参考峰 |
设备类型 | 功能与要求 | 推荐型号 |
---|---|---|
XPS谱仪 | 能量分辨率≤0.45eV,灵敏度≥100kcps/nA | Thermo Scientific K-Alpha+ |
离子枪 | 溅射能量0.5-5keV,束流密度可调 | SPECS IQE 12/38 |
荷电中和系统 | 低能电子束(≤5eV)与Ar+束协同中和 | PHI 5000 VersaProbe III |
项目 | ISO 15472 | GB/T 25186 |
---|---|---|
能量分辨率 | Ag 3d<sub>5/2</sub> ≤0.55eV | 等同ISO标准 |
灵敏度校准 | 使用Cu 2p<sub>3/2</sub>峰 | 使用Au 4f<sub>7/2</sub>峰 |
数据报告格式 | 需包含荷电校正方法 | 需包含分峰拟合参数 |
证书编号:241520345370
证书编号:CNAS L22006
证书编号:ISO9001-2024001
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