多晶硅检测
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发布时间:2025-03-10 09:25:28 更新时间:2025-03-09 09:27:01
点击:0
作者:中科光析科学技术研究所检测中心

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多晶硅作为光伏电池和半导体器件的核心原料,其纯度、电学性能及结构特性直接影响最终产品效率。本文系统解析多晶硅检测的核心项目、方法及行业标准(SEMI、GB、ASTM),涵盖原料纯度、晶体缺陷及电学性能评估,提供全流程技术指南。
检测项目 | 检测方法 | 标准要求 | 适用标准 |
---|---|---|---|
金属杂质(Fe、Cu、Ni) | ICP-MS(电感耦合等离子体质谱) | Fe≤0.1ppb,Cu≤0.05ppb(光伏级) | SEMI PV17-0612 |
碳/氧含量 | FTIR(傅里叶红外光谱)或SIMS(二次离子质谱) | 氧≤1×10¹⁶ atoms/cm³,碳≤5×10¹⁶ atoms/cm³ | GB/T 24578-2015 |
体材料纯度 | 低温霍尔效应(载流子浓度) | 电阻率≥1000Ω·cm(太阳能级) | ASTM F723 |
检测项目 | 检测方法 | 标准要求 |
---|---|---|
电阻率 | 四探针法(ASTM F84)或涡流法(ASTM F1529) | 光伏级:1-3Ω·cm,电子级:0.001-100Ω·cm |
少子寿命 | μ-PCD(微波光电导衰减法) | ≥100μs(高效PERC电池用硅料) |
载流子浓度 | 霍尔效应测试(Van der Pauw法) | 电子级:1×10¹⁰~1×10¹⁴ cm⁻³ |
检测项目 | 检测方法 | 标准要求 |
---|---|---|
晶粒尺寸 | EBSD(电子背散射衍射)或XRD(X射线衍射) | 晶粒尺寸≥1mm(铸造多晶硅) |
位错密度 | 化学腐蚀法(Secco或Wright腐蚀液) | ≤1×10⁴ cm⁻²(单晶硅) |
晶界与缺陷分布 | PL(光致发光成像)或EL(电致发光成像) | 无黑边、隐裂(光伏硅片) |
设备名称 | 功能 | 推荐型号/参数 |
---|---|---|
ICP-MS | 痕量金属杂质分析(ppb级) | Agilent 8900(检出限≤0.01ppb) |
FTIR光谱仪 | 氧/碳含量测定(非破坏性) | Bruker VERTEX 80v(分辨率0.1cm⁻¹) |
四探针测试仪 | 电阻率快速测量(面电阻/体电阻) | Lucas Labs Pro4-4400(精度±2%) |
PL成像系统 | 晶体缺陷可视化(隐裂、晶界) | BT Imaging LIS-R1(分辨率10μm) |
问题现象 | 原因分析 | 解决方案 |
---|---|---|
电阻率不均 | 掺杂剂分布不均或杂质污染 | 优化CVD沉积工艺,加强原料纯化(酸洗+区熔) |
少子寿命低 | 晶体缺陷(位错、晶界)或金属杂质 | 提高定向凝固工艺温度梯度,减少Fe污染源 |
PL图像黑斑 | 隐裂或氧沉淀缺陷 | 控制冷却速率,优化退火工艺(氮气保护) |
通过系统化检测可确保多晶硅材料满足高端应用需求。建议依据《电子级多晶硅》(GB/T 12963-2022)建立质控体系,并通过SEMI认证实验室验证关键参数。
证书编号:241520345370
证书编号:CNAS L22006
证书编号:ISO9001-2024001
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