键合丝检测
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发布时间:2025-03-11 17:58:46 更新时间:2025-03-10 18:00:12
点击:0
作者:中科光析科学技术研究所检测中心

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键合丝(Bonding Wire)是半导体封装中连接芯片与引线框架的核心材料,其检测需围绕 材料性能、键合强度、几何尺寸及可靠性 等核心指标展开,依据国际标准(如MIL-STD-883、JEDEC J-STD-002)及行业规范(如GB/T 4937-2023《半导体器件机械和气候试验方法》),确保其在高温、高湿、振动等严苛环境下的长期稳定性。以下是系统化的检测方案与操作指南:
检测类别 | 关键参数 | 检测方法 | 标准依据 |
---|---|---|---|
材料特性 | 纯度(金丝≥99.99%)、晶粒尺寸(≤5μm)、表面氧化层(≤2nm) | 电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)、透射电镜(TEM) | ASTM B798-22 |
力学性能 | 抗拉强度(金丝≥150MPa)、延伸率(≥4%)、硬度(维氏HV 30~50) | 微拉力测试机(0~50g)、纳米压痕仪(Bruker) | JEDEC J-STD-002 |
几何尺寸 | 直径公差(±3%)、椭圆度(≤1%)、表面粗糙度(Ra≤0.1μm) | 激光测径仪(Keyence LS-9000)、白光干涉仪 | SEMI G32-0218 |
键合强度 | 拉力强度(≥5g/mil)、剪切强度(≥8g/mil) | 拉力测试机(Dage 4000)、剪切测试夹具 | MIL-STD-883 Method 2011.9 |
可靠性测试 | 高温存储(150℃×1000h)、温循(-55℃~125℃, 1000次) | 高低温试验箱(ESPEC)、冷热冲击机(Thermotron) | JESD22-A104 |
参数 | MIL-STD-883(美国军用) | JEDEC J-STD-002(国际) | GB/T 4937-2023(中国) |
---|---|---|---|
金丝纯度 ≥99.99%(4N) | ≥99.99%(4N) | ≥99.99%(4N) | |
抗拉强度 ≥150MPa(直径25μm) | ≥120MPa(直径38μm) | ≥180MPa(高可靠性) | |
温循失效标准 电阻变化≤10%、无断裂 | 键合点脱落≤5% | 键合丝断裂≤3% |
设备/工具 | 用途 | 推荐型号 |
---|---|---|
微拉力测试机 | 键合丝拉力与剪切强度测量 | Nordson DAGE 4000 Plus(0.1g分辨率) |
激光测径仪 | 键合丝直径与椭圆度在线检测 | Keyence LS-9000(±0.1μm精度) |
透射电镜(TEM) | 微观结构分析与氧化层厚度测量 | FEI Talos F200X(STEM模式) |
X射线检测仪 | 键合点形貌与空洞缺陷检测 | Nordson YXLON FF35(3D CT扫描) |
冷热冲击试验箱 | 温度循环与高温高湿可靠性测试 | ESPEC TSA-71S(-70℃~+150℃) |
问题 | 原因分析 | 优化措施 |
---|---|---|
键合点脱落 | 表面污染或超声能量不足 | 增加等离子清洗(Ar/O₂)、提高超声功率(30~50kHz) |
颈部断裂(Neck Break) | 键合丝直径不均或退火工艺不当 | 优化拉丝工艺(控速±1%)、增加退火时间(300℃×2h) |
氧化层过厚 | 储存环境湿度高或材料纯度低 | 充氮气密封包装(O₂≤0.1%)、改用5N高纯金丝 |
温循后电阻升高 | 键合界面微裂纹或金属间化合物生长 | 优化键合温度(150~250℃)、添加扩散阻挡层(Ni/Pd) |
通过系统化检测,可确保键合丝在半导体封装中的高可靠性与长寿命。建议:
证书编号:241520345370
证书编号:CNAS L22006
证书编号:ISO9001-2024001
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