外延片检测
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发布时间:2025-03-24 15:47:44 更新时间:2025-05-13 17:46:11
点击:0
作者:中科光析科学技术研究所检测中心



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外延片(Epitaxial Wafer)作为半导体器件的核心基材,其晶体质量、厚度均匀性及电学性能直接影响芯片良率与可靠性。依据国际标准(SEMI C3.6、ASTM F1391)、中国标准(GB/T 14141)及行业规范(如IEEE 1528),检测需覆盖晶体结构、表面形貌、电学特性及杂质控制等全维度指标,贯穿衬底预处理、外延生长到成品检验全流程,是保障半导体制造质量与性能的核心环节。
晶体结构分析
厚度与均匀性检测
表面与界面质量
电学性能验证
杂质与污染控制
检测项目 | 方法/设备 | 标准参数 |
---|---|---|
厚度测量 | 椭圆偏振仪(波长632.8nm) | 精度±0.1nm,重复性≤0.5% |
缺陷密度分析 | X射线形貌术(XRT) | 分辨率≤50μm,检测速度≥10片/小时 |
表面粗糙度 | 原子力显微镜(AFM,非接触模式) | 扫描范围100×100μm,分辨率0.1nm |
载流子浓度 | 霍尔效应测试系统(磁场0.5T) | 电流源精度±0.01%,温度控制±0.1K |
金属杂质检测 | 全反射X射线荧光光谱(TXRF) | 检出限≤1×10⁹ atoms/cm²(Fe元素) |
衬底预处理监控
外延生长参数优化
在线检测系统
数据追溯与管理
案例名称:碳化硅(SiC)外延片量产优化 检测目标:4H-SiC外延层厚度均匀性≤±3%,缺陷密度≤1/cm² 技术方案:
大尺寸与复合外延
智能化检测技术
绿色制造要求
标准化与协同发展
国际半导体产业协会(SEMI)正制定《第三代半导体外延片检测指南》,新增宽禁带材料(GaN/SiC)界面缺陷评估与高压可靠性测试要求,预计2026年发布,推动检测技术向高精度、高可靠性方向升级。
证书编号:241520345370
证书编号:CNAS L22006
证书编号:ISO9001-2024001
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