一、分析目的与标准

显微结构分析用于揭示材料的晶体形貌、相组成、缺陷分布及界面特性，指导材料设计、工艺优化与失效分析。核心依据标准：

• 中国标准：
  • GB/T 13298-2015《金属显微组织检验方法》
  • GB/T 6394-2017《金属平均晶粒度测定方法》
• 国际标准：
  • ASTM E3-2023（金相试样制备标准）
  • ISO 643:2023（钢的奥氏体晶粒度测定）
  • ASTM E112-2023（晶粒度测定标准）

二、核心分析技术及方法

1. 光学显微镜（OM）

应用：晶粒度、夹杂物、孔隙率等宏观结构分析。 步骤：

1. 样品制备：
   • 切割：线切割或砂轮切割保留目标区域。
   • 镶嵌：热压镶嵌（环氧树脂，180℃×5min）。
   • 研磨抛光：逐级砂纸（240#→2000#）+ 金刚石悬浮液（1μm→0.05μm）。
   • 腐蚀：根据材料选择试剂（如钢用4%硝酸酒精）。
2. 观察与成像：
   • 明场/暗场观察，放大倍率50×~1000×。
   • 软件分析晶粒度（截点法或面积法，ASTM E112）。

2. 扫描电子显微镜（SEM）

应用：表面形貌、微区成分（EDS）、断口分析。 步骤：

1. 样品处理：
   • 导电处理：非导电样品需喷镀5nm金或碳层。
   • 清洁：超声清洗去除表面污染物。
2. 成像模式：
   • 二次电子（SE）：表面形貌（分辨率≤3nm）。
   • 背散射电子（BSE）：成分衬度（原子序数差异）。
3. 能谱分析（EDS）：
   • 点分析、线扫描、面分布（元素Mapping）。

3. 透射电子显微镜（TEM）

应用：纳米结构、位错、晶界原子尺度分析。 步骤：

1. 样品制备：
   • 机械减薄：研磨至≤100μm。
   • 离子减薄：Ar+轰击（5kV，角度±5°）至电子透明（<100nm）。
2. 成像模式：
   • 明场（BF）：晶体缺陷（位错、层错）。
   • 暗场（DF）：特定晶粒取向成像。
   • 高分辨（HRTEM）：原子级晶格条纹（分辨率≤0.1nm）。
3. 选区衍射（SAED）：确定晶体结构及取向。

4. 原子力显微镜（AFM）

应用：表面粗糙度、纳米力学性能（模量、黏附力）。 步骤：

1. 样品要求：表面平整（粗糙度≤10nm），无需导电处理。
2. 扫描模式：
   • 接触式：高分辨率形貌（横向分辨率≤1nm）。
   • 轻敲式：减少样品损伤，适用于软材料（如高分子）。
3. 力学分析：力-距离曲线（杨氏模量计算）。

三、关键设备与工具

四、数据分析与报告

1. 晶粒度计算（ASTM E112）

• 截点法：统计单位长度内晶界与测试线的交点数。 G=log⁡Nlog⁡2−3G=log2logN​−3（N为截点数/mm）。
• 图像法：软件自动识别晶界，计算平均晶粒面积。

2. EDS成分定量

• ZAF校正：补偿原子序数（Z）、吸收（A）、荧光（F）效应。
• 元素含量：峰强度比×标准样品灵敏度因子。

五、常见问题与解决方案

六、应用场景与建议

1. 金属材料：
   • 晶界分析：OM/SEM观察晶界碳化物（如钢中渗碳体）。
   • 相鉴定：TEM-SAED标定析出相（如铝合金中的θ'相）。
2. 半导体材料：
   • 缺陷检测：TEM观察位错网络，AFM测表面台阶高度。
3. 高分子材料：
   • 共混结构：SEM-EDS分析相分布，AFM测相区模量差异。

通过系统性显微结构分析，可精准解析材料的微观形貌、成分分布及性能关联性。建议依据材料类型（金属/陶瓷/高分子）选择分析技术，并通过CMA/CNAS认证实验室确保数据可靠性，为研发与生产提供科学支撑。

检测机构资质证书

CMA认证

检验检测机构资质认定证书

证书编号：241520345370

有效期至：2030年4月15日

CNAS认可

实验室认可证书

证书编号：CNAS L22006

有效期至：2030年12月1日

ISO认证

质量管理体系认证证书

证书编号：ISO9001-2024001

有效期至：2027年12月31日

关于我们

部分仪器

合作客户