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微电子材料检测

发布时间:2025-07-25 08:49:03·浏览:3 次

检测周期 7-15 个工作日 加急可与工程师沟通
检测资质 旗下实验室 CMA CNAS 具有法律效力,可查验
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微电子材料是制造微电子元器件、集成电路等电子设备的基本材料,包括各种不同的半导体材料、介电材料、导电材料、磁性材料、光电材料、压电材料等。

项目名称:微电子材料

标准编号:GB/T 1554-2009

检测范围

 

硅,锗,镓砷化物,氮化镓,氧化锆,硅酸锆,纳米银,铜,铝,钛,钯,铂,铋锌锡氧化物,锑硫,二硫化钼,氧化铱,氮化铝,硫化镉,硒化锌,铝氮化物,氟化锂,硼化铝,钴铁硼,硫化铅,硒化镓,氧化铜,铬酸锶,磷化铟,氮化硅,硫化铜,硼化镓,钙钛矿,氧化钨,氮化铟,硅酮,石墨烯,磷化铝,塞矿石,碲化镉,硅酸铪,硒化亚铁,二硫化铁,硒化镉锌,硫化铁镍,硫化镍铁,铁磁铁氧体,二硝酸锆,氧化硅.

项目指标

砷化镓材料杂质浓度、砷化镓单晶EL2浓度、硅单晶电阻率、导电类型、径向电阻率变化、砷化镓材料霍尔迁移率和电阻率的均匀性、少子寿命、电阻率与掺杂剂浓度换算、磷化铟位错、晶片翘曲度、硅外延层、扩散层和离子注入层薄层的电阻、硅外延层晶体完整性、硅晶体中间隙氧含量径向变化、硅多晶断面夹层、硅抛光片氧化诱生缺陷、硅抛光片表面质量、碳化硅单晶片微管密度

参数列表

1

晶向

GB/T 1555-2009

半导体单晶晶向测定方法

2

霍尔系数

GB/T 4326-2006

非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

3

硅单晶完整性

GB/T 1554-2009

硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

4

硅材料缺陷

GB/T 30453-2013

硅材料原生缺陷图谱

5

硅外延层厚度

GB/T 14847-2010

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

6

硅晶体中氧含量

GB/T 1557-2018

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

7

硅晶体中碳含量

GB/T 1558-2009

硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

8

砷化镓和磷化铟材料霍尔系数

SJ 3244.1-1989

砷化镓、磷化铟半导体材料参数测试方法

9

砷化镓单晶位错密度

GB/T 8760-2006

砷化镓单晶位错密度的测量方法

10

砷化镓单晶AB微缺陷

GB/T 18032-2000

砷化镓单晶AB微缺陷检验方法

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