微电子材料检测
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发布时间:2024-05-27 10:42:13 更新时间:2024-08-14 16:44:15
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微电子材料是制造微电子元器件、集成电路等电子设备的基本材料,包括各种不同的半导体材料、介电材料、导电材料、磁性材料、光电材料、压电材料等。
项目名称:微电子材料
标准编号:GB/T 1554-2009
硅,锗,镓砷化物,氮化镓,氧化锆,硅酸锆,纳米银,铜,铝,钛,钯,铂,铋锌锡氧化物,锑硫,二硫化钼,氧化铱,氮化铝,硫化镉,硒化锌,铝氮化物,氟化锂,硼化铝,钴铁硼,硫化铅,硒化镓,氧化铜,铬酸锶,磷化铟,氮化硅,硫化铜,硼化镓,钙钛矿,氧化钨,氮化铟,硅酮,石墨烯,磷化铝,塞矿石,碲化镉,硅酸铪,硒化亚铁,二硫化铁,硒化镉锌,硫化铁镍,硫化镍铁,铁磁铁氧体,二硝酸锆,氧化硅.
砷化镓材料杂质浓度、砷化镓单晶EL2浓度、硅单晶电阻率、导电类型、径向电阻率变化、砷化镓材料霍尔迁移率和电阻率的均匀性、少子寿命、电阻率与掺杂剂浓度换算、磷化铟位错、晶片翘曲度、硅外延层、扩散层和离子注入层薄层的电阻、硅外延层晶体完整性、硅晶体中间隙氧含量径向变化、硅多晶断面夹层、硅抛光片氧化诱生缺陷、硅抛光片表面质量、碳化硅单晶片微管密度
参数列表
1 |
晶向 |
GB/T 1555-2009 |
半导体单晶晶向测定方法 |
2 |
霍尔系数 |
GB/T 4326-2006 |
非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 |
3 |
硅单晶完整性 |
GB/T 1554-2009 |
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 |
4 |
硅材料缺陷 |
GB/T 30453-2013 |
硅材料原生缺陷图谱 |
5 |
硅外延层厚度 |
GB/T 14847-2010 |
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 |
6 |
硅晶体中氧含量 |
GB/T 1557-2018 |
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 |
7 |
硅晶体中碳含量 |
GB/T 1558-2009 |
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 |
8 |
砷化镓和磷化铟材料霍尔系数 |
SJ 3244.1-1989 |
砷化镓、磷化铟半导体材料参数测试方法 |
9 |
砷化镓单晶位错密度 |
GB/T 8760-2006 |
砷化镓单晶位错密度的测量方法 |
10 |
砷化镓单晶AB微缺陷 |
GB/T 18032-2000 |
砷化镓单晶AB微缺陷检验方法 |
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